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PSMN009-100B,118  与  IPB083N10N3GATMA1  区别

型号 PSMN009-100B,118 IPB083N10N3GATMA1
唯样编号 A-PSMN009-100B,118 A-IPB083N10N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 50V
输出电容 620pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 75uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
输入电容 8250pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.3 毫欧 @ 73A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
AUIRFS4410Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 97A(Tc) ±20V 230W(Tc) 9mΩ@58A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比
IPB083N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB083N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比

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