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PSMN008-75B,118  与  IRFS3607TRLPBF  区别

型号 PSMN008-75B,118 IRFS3607TRLPBF
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A36-IRFS3607TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.34mΩ
Qg-栅极电荷 - 56nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 80A
配置 - Single
输入电容 5260pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W 140W
输出电容 525pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.5mΩ@10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
库存与单价
库存 0 363
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥8.1143
400+ :  ¥6.8765
800+ :  ¥6.3087
10+ :  ¥5.368
100+ :  ¥4.301
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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