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PSMN008-75B,118  与  IRFS3607TRLPBF  区别

型号 PSMN008-75B,118 IRFS3607TRLPBF
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-IRFS3607TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Qg-栅极电荷 - 56nC
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 80A
配置 - Single
输入电容 5260pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 8.5mΩ@10V 7.34mΩ
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
高度 - 4.4mm
功率耗散Pd 230W 140W
漏源极电压Vds 75V 75V
输出电容 525pF -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥11.8463
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8.5mΩ@10V 230W 175°C 3V 75V 75A

¥11.8463 

阶梯数 价格
800: ¥11.8463
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFS7787PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@46A,10V N-Channel 75V 76A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C

¥2.9014 

阶梯数 价格
800: ¥2.9014
0 对比

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