尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > PSMN008-75B,118代替型号比较

PSMN008-75B,118  与  IPB100N08S2L07ATMA1  区别

型号 PSMN008-75B,118 IPB100N08S2L07ATMA1
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-IPB100N08S2L07ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5400pF @ 25V
输出电容 525pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 246nC @ 10V
输入电容 5260pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.5 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.5mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥8.1143
400+ :  ¥6.8765
800+ :  ¥6.3087
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥8.1143 

阶梯数 价格
210: ¥8.1143
400: ¥6.8765
800: ¥6.3087
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB80N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S207ATMA1_75V 80A 6.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2L-07_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售