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PSMN008-75B,118  与  AUIRF3808S  区别

型号 PSMN008-75B,118 AUIRF3808S
唯样编号 A-PSMN008-75B,118 A-AUIRF3808S
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 106A
输入电容 5260pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 68 ns
漏源极电压Vds 75V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 230W 200W
晶体管配置 -
输出电容 525pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 8.5mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥8.1143
400+ :  ¥6.8765
800+ :  ¥6.3087
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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