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PMZB600UNELYL  与  RV2C002UNT2L  区别

型号 PMZB600UNELYL RV2C002UNT2L
唯样编号 A-PMZB600UNELYL A-RV2C002UNT2L
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2Ω@150mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.36W 100mW(Ta)
输出电容 5.4pF -
栅极电压Vgs 0.7V,8V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT883B SC-101,SOT-883
工作温度 150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.6A 180mA(Ta)
输入电容 21.3pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.2V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 850mΩ@2.5V,620mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12pF @ 10V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.712
100+ :  ¥0.5394
1,000+ :  ¥0.4214
5,000+ :  ¥0.3454
10,000+ :  ¥0.3003
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMZB600UNELYL Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMZB600UNEL_SOT883B N-Channel 0.36W 150°C 0.7V,8V 20V 0.6A

¥0.712 

阶梯数 价格
1: ¥0.712
100: ¥0.5394
1,000: ¥0.4214
5,000: ¥0.3454
10,000: ¥0.3003
50 当前型号
RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 150mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 3-XFDFN

暂无价格 7,892 对比
RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883

¥1.2362 

阶梯数 价格
130: ¥1.2362
300: ¥0.8353
500: ¥0.7458
1,000: ¥0.6862
3,100 对比
RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 150mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 3-XFDFN

¥2.4244 

阶梯数 价格
70: ¥2.4244
100: ¥1.7824
300: ¥1.3512
500: ¥1.2649
1,000: ¥1.1978
1,684 对比
RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883

¥0.2848 

阶梯数 价格
8,000: ¥0.2848
9 对比
RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 180mA(Ta) ±10V 100mW(Ta) 2Ω@150mA,4.5V 150°C(TJ) SC-101,SOT-883

暂无价格 0 对比

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