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PMZB550UNEYL  与  DMN32D2LFB4-7  区别

型号 PMZB550UNEYL DMN32D2LFB4-7
唯样编号 A-PMZB550UNEYL A36-DMN32D2LFB4-7
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 N-Channel 30 V 1.2 Ohm Enhancement Mode Mosfet - DFN-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2Ω@100mA,4V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.31W 350mW(Ta)
输出电容 5.8pF -
栅极电压Vgs 0.7V,8V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT883B DFN-H4
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.59A 0.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
输入电容 30.3pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 39pF @ 3V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4V
Rds On(max)@Id,Vgs 900mΩ@2.5V,670mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
2,380+ :  ¥0.3993
5,000+ :  ¥0.3273
10,000+ :  ¥0.2846
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMZB550UNEYL Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMZB550UNE_SOT883B N-Channel 0.31W 150℃ 0.7V,8V 30V 0.59A

¥0.3993 

阶梯数 价格
2,380: ¥0.3993
5,000: ¥0.3273
10,000: ¥0.2846
10,000 当前型号
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±10V 350mW(Ta) 1.2Ω@100mA,4V -55°C~150°C(TJ) DFN-H4 N-Channel 30V 0.3A

暂无价格 0 对比

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