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PMXB40UNEZ  与  DMN1045UFR4-7  区别

型号 PMXB40UNEZ DMN1045UFR4-7
唯样编号 A-PMXB40UNEZ A-DMN1045UFR4-7
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 0.4W 1.26W
Qg-栅极电荷 - 4.8nC
输出电容 107pF -
栅极电压Vgs 8V,0.65V 400mV
典型关闭延迟时间 - 93ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT1215 3-XFDFN
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 3.2A
系列 - DMN10
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 556pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 45mΩ@4.5V,64mΩ@2.5V -
下降时间 - 48ns
典型接通延迟时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 375pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,190+ :  ¥0.7356
2,500+ :  ¥0.6029
5,000+ :  ¥0.5243
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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