| 型号 | PMV65UNER | NDS331N | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMV65UNER | A33-NDS331N | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | 500mW(Ta) | ||||||||||||
| 输出电容 | 52pF | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.4A | 1.3A(Ta) | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||||
| 输入电容 | 291pF | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 162pF @ 10V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V | ||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 73mΩ@2.8A,4.5V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 162pF @ 10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,055 | 1,411 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PMV65UNER | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V 20V 3.4A |
暂无价格 | 3,055 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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8,772 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥4.408
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1,411 | 对比 |
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