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PMV65UNEAR  与  BSS205NH6327XTSA1  区别

型号 PMV65UNEAR BSS205NH6327XTSA1
唯样编号 A-PMV65UNEAR A-BSS205NH6327XTSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 0.49W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 419pF @ 10V
输出电容 52pF -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 11uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.2nC @ 4.5V
输入电容 291pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 73mΩ@2.8A,4.5V -
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
570+ :  ¥0.8072
1,000+ :  ¥0.6257
1,500+ :  ¥0.5129
3,000+ :  ¥0.4539
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV65UNEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65UNEA_SOT23 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V 20V 2.8A

¥0.8072 

阶梯数 价格
570: ¥0.8072
1,000: ¥0.6257
1,500: ¥0.5129
3,000: ¥0.4539
0 当前型号
DMG2302UQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 4.2A(Ta) ±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 车规

¥0.8445 

阶梯数 价格
60: ¥0.8445
200: ¥0.5832
4,074 对比
DMN31D5L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 350mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 500mA(Ta)

¥0.533 

阶梯数 价格
100: ¥0.533
200: ¥0.3432
1,500: ¥0.2977
3,000: ¥0.2639
3,040 对比
DMG2302UKQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 车规

暂无价格 27 对比
BSS205NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS205N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
SI2302A-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 3A 72mΩ@3.6A,4.5V 20V 1.25W ±8V

¥0.1473 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.1473
0 对比

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