PMV50UPEVL 与 IRLML6402TRPBF 区别
| 型号 | PMV50UPEVL | IRLML6402TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV50UPEVL | A-IRLML6402TRPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@3.7A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.5W | 1.3W |
| 输出电容 | 106pF | - |
| 栅极电压Vgs | 8V,-0.6V | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | -3.7A | 3.7A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 | 24pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 633pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 66mΩ@4.5V,81mΩ@2.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,440 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV50UPEVL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.5W 150°C 8V,-0.6V -20V -3.7A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 3,440 | 对比 |
|
|
IRLML2244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 54mΩ@4.3A,4.5V P-Channel 20V 4.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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