PMV50EPEAR 与 FDN358P 区别
| 型号 | PMV50EPEAR | FDN358P | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMV50EPEAR-CN | A36-FDN358P-2 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB | Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.48W | 500mW(Ta) | ||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| 输出电容 | 134pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V,-2V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SuperSOT | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | -4.2A | 1.5A | ||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||
| 输入电容 | 793pF | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 72mΩ@4.5V,45mΩ@10V | 125 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 12,000 | 607 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV50EPEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 72mΩ@4.5V,45mΩ@10V 0.48W 150°C 20V,-2V -30V -4.2A 车规 |
￥3.6527
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12,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 SOT23 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 3.3A(Ta) ±12V 700mW(Ta) 72m Ohms@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30V 3.3A |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.596
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6,000 | 对比 | |||||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.0608
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607 | 对比 |
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