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PMV450ENEAR  与  IRLML2060TRPBF  区别

型号 PMV450ENEAR IRLML2060TRPBF
唯样编号 A-PMV450ENEAR A-IRLML2060TRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 480mΩ@1.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 0.323W 1.25W(Ta)
输出电容 10pF -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.8A 1.2A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
输入电容 101pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.67nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 380mΩ@900mA,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - .67nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
560+ :  ¥0.4642
1,000+ :  ¥0.3627
1,500+ :  ¥0.2973
3,000+ :  ¥0.2585
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV450ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV450ENEA_SOT23 N-Channel 0.323W -55°C~150°C ±20V 60V 0.8A 车规

¥0.4642 

阶梯数 价格
560: ¥0.4642
1,000: ¥0.3627
1,500: ¥0.2973
3,000: ¥0.2585
0 当前型号
BSS670S2L H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2LH6327XTSA1_55V 540mA 650mΩ@270mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规

暂无价格 3,000 对比
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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SSM3K2615R,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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