PMV450ENEAR 与 IRLML2060TRPBF 区别
| 型号 | PMV450ENEAR | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV450ENEAR-CN | A-IRLML2060TRPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB | Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 480mΩ@1.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.323W | 1.25W(Ta) |
| 输出电容 | 10pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 0.8A | 1.2A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA |
| 输入电容 | 101pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 64pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.67nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 380mΩ@900mA,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 64pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | .67nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV450ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.323W -55°C~150°C ±20V 60V 0.8A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSS670S2L H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
55V 540mA 650mΩ@270mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
IRLML2060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@1.2A,10V N-Channel 60V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SSM3K2615R,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) SOT-23F 150°C(TJ) 60 V 2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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