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PMV37ENEAR  与  RSR030N06HZGTL  区别

型号 PMV37ENEAR RSR030N06HZGTL
唯样编号 A-PMV37ENEAR A33-RSR030N06HZGTL-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 700mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 0.71W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 380pF @ 10V
输出电容 49pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TSMT3
工作温度 -55°C~175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
输入电容 450pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 85 毫欧 @ 3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3A(Ta)
Rds On(max)@Id,Vgs 49mΩ@3.5A,10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5nC @ 5V
库存与单价
库存 15,000 161
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
560+ :  ¥1.2723
1,000+ :  ¥0.994
1,500+ :  ¥0.8147
3,000+ :  ¥0.7085
60+ :  ¥2.846
100+ :  ¥2.2807
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMV37ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV37ENEA_SOT23 N-Channel 0.71W -55°C~175°C ±20V 60V 3.5A 车规

¥1.2723 

阶梯数 价格
560: ¥1.2723
1,000: ¥0.994
1,500: ¥0.8147
3,000: ¥0.7085
15,000 当前型号
RQ5L030SNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 700mW(Ta) SC-96 150℃(TJ) 60V

¥2.7981 

阶梯数 价格
60: ¥2.7981
100: ¥2.2232
300: ¥1.8495
500: ¥1.7728
1,000: ¥1.7153
2,418 对比
PMV37ENER Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV37ENE_SOT-23 N-Channel 49mΩ@3.5A,10V 710mW -55°C~175°C ±20V 60V 3.5A

¥1.605 

阶梯数 价格
1: ¥1.605
100: ¥1.2159
1,000: ¥0.9499
1,500: ¥0.7786
3,000: ¥0.6771
531 对比
RHK003N06FRAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

300mA(Ta) N-Channel ±20V 1Ω@300mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 150℃(TJ) 60V 车规

暂无价格 200 对比
RSR030N06HZGTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3 车规

¥2.846 

阶梯数 价格
60: ¥2.846
100: ¥2.2807
161 对比
RHK003N06FRAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

300mA(Ta) N-Channel ±20V 1Ω@300mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 150℃(TJ) 60V 车规

¥2.41 

阶梯数 价格
1: ¥2.41
100: ¥1.3665
1,000: ¥0.8363
3,000: ¥0.6322
100 对比

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