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PMPB95ENEAX  与  RF4P060BGTCR  区别

型号 PMPB95ENEAX RF4P060BGTCR
唯样编号 A-PMPB95ENEAX A33-RF4P060BGTCR-1
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 4.1A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@2.8A,10V -
漏源极电压Vds 80V -
输入电容 504pF -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W -
输出电容 43pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 10,760 2,984
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥2.3616
100+ :  ¥1.7891
1,000+ :  ¥1.3978
1,500+ :  ¥1.1457
3,000+ :  ¥0.9963
40+ :  ¥4.7625
50+ :  ¥3.0568
100+ :  ¥2.4915
300+ :  ¥2.1082
500+ :  ¥2.0315
1,000+ :  ¥1.9836
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB95ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB95ENEA_SOT1220 N-Channel 105mΩ@2.8A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 4.1A 车规

¥2.3616 

阶梯数 价格
1: ¥2.3616
100: ¥1.7891
1,000: ¥1.3978
1,500: ¥1.1457
3,000: ¥0.9963
10,760 当前型号
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

¥4.7625 

阶梯数 价格
40: ¥4.7625
50: ¥3.0568
100: ¥2.4915
300: ¥2.1082
500: ¥2.0315
1,000: ¥1.9836
2,984 对比
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 100 对比
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 0 对比

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