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PMPB95ENEAX  与  RF4P060BGTCR  区别

型号 PMPB95ENEAX RF4P060BGTCR
唯样编号 A-PMPB95ENEAX-CN A3-RF4P060BGTCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 4.1A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@2.8A,10V -
漏源极电压Vds 80V -
输入电容 504pF -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W -
输出电容 43pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB95ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 N-Channel 105mΩ@2.8A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 4.1A 车规

暂无价格 0 当前型号
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 100 对比
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

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HUML2020L8 (Single)

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