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PMPB55ENEAX  与  RF4L070BGTCR  区别

型号 PMPB55ENEAX RF4L070BGTCR
唯样编号 A-PMPB55ENEAX A33-RF4L070BGTCR-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 Nch 60V 7A, HUML2020L8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8 (Single)
工作温度 150℃ -
连续漏极电流Id 4A -
漏源极电压Vds 60V -
输入电容 435pF -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 1.65W -
Rds On(max)@Id,Vgs 56mΩ@10V,69mΩ@4.5V -
输出电容 47pF -
栅极电压Vgs 20V,1.7V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 2,940
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
560+ :  ¥1.7891
1,000+ :  ¥1.3978
1,500+ :  ¥1.1457
3,000+ :  ¥0.9963
30+ :  ¥5.0308
50+ :  ¥3.3251
100+ :  ¥2.7598
300+ :  ¥2.3861
500+ :  ¥2.3094
1,000+ :  ¥2.2519
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB55ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB55ENEA_SOT1220 N-Channel 1.65W 150℃ 20V,1.7V 60V 4A 车规

¥1.7891 

阶梯数 价格
560: ¥1.7891
1,000: ¥1.3978
1,500: ¥1.1457
3,000: ¥0.9963
0 当前型号
RF4L070BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

¥5.0308 

阶梯数 价格
30: ¥5.0308
50: ¥3.3251
100: ¥2.7598
300: ¥2.3861
500: ¥2.3094
1,000: ¥2.2519
2,940 对比
RF4L070BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 200 对比
RF4L070BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 0 对比

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