尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > PMPB25ENEX代替型号比较

PMPB25ENEX  与  RF4E070BNTR  区别

型号 PMPB25ENEX RF4E070BNTR
唯样编号 A-PMPB25ENEX A-RF4E070BNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28.6mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 2W(Ta)
输出电容 113pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 607pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 32mΩ@4.5V,24mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
590+ :  ¥1.6684
1,000+ :  ¥1.2933
1,500+ :  ¥1.0601
3,000+ :  ¥0.9726
460+ :  ¥1.1833
1,000+ :  ¥0.9682
1,500+ :  ¥0.7261
3,000+ :  ¥0.5379
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB25ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB25ENE_SOT1220 N-Channel 2.1W 175℃ 20V,1.5V 30V 10A

¥1.6684 

阶梯数 价格
590: ¥1.6684
1,000: ¥1.2933
1,500: ¥1.0601
3,000: ¥0.9726
0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥1.3033 

阶梯数 价格
120: ¥1.3033
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1787
2,000: ¥1.1308
3,000 对比
DMN3042LFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±12V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 30V 7A(Ta)

¥1.0329 

阶梯数 价格
50: ¥1.0329
200: ¥0.7117
1,500: ¥0.6479
2,415 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥1.1833 

阶梯数 价格
460: ¥1.1833
1,000: ¥0.9682
1,500: ¥0.7261
3,000: ¥0.5379
0 对比
DMN3042LFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±12V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 30V 7A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售