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PMPB215ENEAX  与  RF4P060BGTCR  区别

型号 PMPB215ENEAX RF4P060BGTCR
唯样编号 A-PMPB215ENEAX A-RF4P060BGTCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 2.8A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 230mΩ@1.9A,10V -
漏源极电压Vds 80V -
输入电容 215pF -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W -
输出电容 25pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
560+ :  ¥1.5335
1,000+ :  ¥1.1981
1,500+ :  ¥0.982
3,000+ :  ¥0.8539
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB215ENEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB215ENEA_SOT1220 N-Channel 230mΩ@1.9A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 2.8A 车规

¥1.5335 

阶梯数 价格
560: ¥1.5335
1,000: ¥1.1981
1,500: ¥0.982
3,000: ¥0.8539
3,000 当前型号
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

¥5.3949 

阶梯数 价格
30: ¥5.3949
50: ¥3.4689
100: ¥2.8269
300: ¥2.3956
500: ¥2.3094
1,000: ¥2.2423
2,984 对比
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 100 对比
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8 (Single)

暂无价格 0 对比

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