PMPB215ENEAHP 与 PMPB215ENEAX 区别
| 型号 | PMPB215ENEAHP | PMPB215ENEAX | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB215ENEAHP | A-PMPB215ENEAX | ||||
| 制造商 | Nexperia | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220 | PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.6W | ||||
| 功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta),15.6W(Tc) | - | ||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 80V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 215 pF @ 40 V | - | ||||
| 输出电容 | - | 25pF | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 7.2 nC @ 10 V | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | SOT1220 | ||||
| 等级 | 汽车级 | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250uA | - | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A | ||||
| 资质 | AEC-Q101 | - | ||||
| 输入电容 | - | 215pF | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 230 毫欧 @ 1.9A,10V | - | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.9A(Ta) | - | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 80 V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 230mΩ@1.9A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB215ENEAHP | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 车规 SOT1220 |
￥1.755
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0 | 当前型号 | ||||||
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PMPB215ENEAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 230mΩ@1.9A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 2.8A 车规 |
￥0.8666
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3,000 | 对比 | ||||||
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PMPB215ENEAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 230mΩ@1.9A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 2.8A 车规 |
￥2.3109
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0 | 对比 |
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