PMPB12R5EPX 与 SIA471DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | PMPB12R5EPX | SIA471DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB12R5EPX | A3t-SIA471DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PMPB12R5EP/SOT1220-2/DFN2020M- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.5W(Ta),19.2W(Tc) |
| 功率耗散(最大值) | 1.9W(Ta),12.5W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1392 pF @ 15 V | - |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 44 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT1220-2 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250uA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 12.9A(Ta),30.3A(Tc) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 8.8A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | +16V,-20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 8.8A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - |
| 导通电阻Rds(On) | - | 14 mOhms @ 10A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB12R5EPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.9A(Ta),30.3A(Tc) P-Channel 14 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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