PMPB11R2VPX 与 SIA437DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | PMPB11R2VPX | SIA437DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB11R2VPX | A3t-SIA437DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.5W(Ta),19W(Tc) |
| 功率耗散(最大值) | 1.9W(Ta),12.5W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2230 pF @ 6 V | - |
| Vgs(th) | - | 900mV @ 250uA |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 39 nC @ 4.5 V | - |
| 封装/外壳 | SOT1220-2 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -50°C~150°C |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250uA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 29.7A(Tc) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 9.7A,4.5V | - |
| Vgs(最大值) | ±8V | ±8V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 9.7A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 12 V | - |
| 导通电阻Rds(On) | - | 14.5 mOhms @ 8A,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB11R2VPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT1220-2 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29.7A(Tc) P-Channel 14.5 mOhms @ 8A,4.5V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -50°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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