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PMPB10R3XN  与  RF4E100AJTCR  区别

型号 PMPB10R3XN RF4E100AJTCR
唯样编号 A-PMPB10R3XN A33-RF4E100AJTCR-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30 V, N-channel Trench MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.4mΩ@10A,4.5V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Tc)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DFN2020MD-6(SOT1220) 8-PowerUDFN
连续漏极电流Id - 10A(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1460pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 2,579
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.05
50+ :  ¥3.3443
100+ :  ¥2.7789
300+ :  ¥2.3956
500+ :  ¥2.3286
1,000+ :  ¥2.2711
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB10R3XN Nexperia  数据手册 功率MOSFET

DFN2020MD-6(SOT1220)

暂无价格 0 当前型号
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±12V 2W(Tc) 12.4mΩ@10A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerUDFN

¥5.05 

阶梯数 价格
30: ¥5.05
50: ¥3.3443
100: ¥2.7789
300: ¥2.3956
500: ¥2.3286
1,000: ¥2.2711
2,579 对比
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±12V 2W(Tc) 12.4mΩ@10A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerUDFN

暂无价格 150 对比
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±12V 2W(Tc) 12.4mΩ@10A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerUDFN

¥7.8889 

阶梯数 价格
1: ¥7.8889
100: ¥4.5598
1,500: ¥2.8909
3,000: ¥2.0901
48 对比

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