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PMPB100ENEX  与  RF4E110GNTR  区别

型号 PMPB100ENEX RF4E110GNTR
唯样编号 A-PMPB100ENEX A33-RF4E110GNTR-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.3mΩ@11A,10V
上升时间 - 5.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qg-栅极电荷 - 7.4nC
输出电容 34pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V ±20V
典型关闭延迟时间 - 21ns
正向跨导 - 最小值 - 6S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.1A 11A
系列 - RF4E110GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 157pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V -
下降时间 - 3ns
典型接通延迟时间 - 9ns
库存与单价
库存 0 2,490
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
580+ :  ¥1.3656
1,000+ :  ¥1.0586
1,500+ :  ¥0.8677
3,000+ :  ¥0.7817
80+ :  ¥1.9836
100+ :  ¥1.8878
500+ :  ¥1.5332
1,000+ :  ¥1.5332
2,000+ :  ¥1.5237
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB100ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB100ENE_SOT1220

¥1.3656 

阶梯数 价格
580: ¥1.3656
1,000: ¥1.0586
1,500: ¥0.8677
3,000: ¥0.7817
0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

¥2.3956 

阶梯数 价格
70: ¥2.3956
100: ¥1.792
500: ¥1.3895
1,000: ¥1.3128
2,000: ¥1.2458
3,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.3128
1,000: ¥1.3128
2,000: ¥1.3033
2,647 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥1.9836 

阶梯数 价格
80: ¥1.9836
100: ¥1.8878
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.5332
2,000: ¥1.5237
2,490 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

¥1.7536 

阶梯数 价格
90: ¥1.7536
100: ¥1.6674
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.2362
2,040 对比

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