PMPB09R5TPX 与 SIA5213DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | PMPB09R5TPX | SIA5213DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB09R5TPX | A3t-SIA5213DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | PMPB09R5TP/SOT1220-2/DFN2020M- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 1.9W(Ta),12.5W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1730 pF @ 10 V | - |
| FET类型 | P 通道 | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 29 nC @ 4.5 V | - |
| 封装/外壳 | SOT1220-2 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250uA | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 11.5 毫欧 @ 10.5A,4.5V | - |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.8V,4.5V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 10.5A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 20 V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB09R5TPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIA5213DJ-T1-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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