PMPB07R3ENX 与 RF4E110GNTR 区别
| 型号 | PMPB07R3ENX | RF4E110GNTR | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PMPB07R3ENX | A-RF4E110GNTR | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.6mΩ@12A,10V | 11.3mΩ@11A,10V | ||||||||
| 上升时间 | - | 5.5ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 12.5W(Tc) | 2W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.4nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020M-6 | DFN2020-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 11A | ||||||||
| 系列 | - | RF4E110GN | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 下降时间 | - | 3ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 420 | 88 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A |
暂无价格 | 420 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6927
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2,295 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.5573
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88 | 对比 |
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