PMPB07R3ENX 与 PMPB07R3ENAX 区别
| 型号 | PMPB07R3ENX | PMPB07R3ENAX | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMPB07R3ENX | A-PMPB07R3ENAX | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020M-6 | SOT1220-2 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 12.5W(Tc) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 8.6mΩ@12A,10V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 420 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A |
￥6.9125
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420 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220-2 |
￥2.7034
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0 | 对比 | ||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.1436
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6927
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2,295 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.6367
|
2,100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 |
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