PMN30ENEAH 与 PMN30ENEAX 区别
| 型号 | PMN30ENEAH | PMN30ENEAX | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMN30ENEAH | A3n-PMN30ENEAX | ||||||
| 制造商 | Nexperia | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | PMN30ENEA/SOT457/SC-74 | MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.667W | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 667mW(Ta),7.5W(Tc) | - | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 440 pF @ 20 V | - | ||||||
| 输出电容 | - | 76pF | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11.7 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT457 | SOT457 | ||||||
| 等级 | 汽车级 | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 5.4A | ||||||
| 资质 | AEC-Q101 | - | ||||||
| 输入电容 | - | 440pF | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 5.4A,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5.4A(Ta) | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 40 V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 30mΩ@5.4A,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||
| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMN30ENEAH | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) N 通道 车规 SOT457 |
￥1.4237
|
0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
PMN30ENEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 N-Channel 30mΩ@5.4A,10V 0.667W -55°C~175°C ±20V 40V 5.4A 车规 |
￥3.6404
|
19 | 对比 | ||||||||||||
|
|
PMN30ENEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 N-Channel 30mΩ@5.4A,10V 0.667W -55°C~175°C ±20V 40V 5.4A 车规 |
￥0.7617
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
