PMN25ENEAH 与 PMN25ENEH 区别
| 型号 | PMN25ENEAH | PMN25ENEH | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMN25ENEAH | A3n-PMN25ENEH | ||||||
| 制造商 | Nexperia | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | PMN25ENEA/SOT457/SC-74 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.56W | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 560mW(Ta),6.25mW(Tc) | - | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 597 pF @ 15 V | - | ||||||
| 输出电容 | - | 117pF | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1.5V,20V | ||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 18 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT457 | SOT457 | ||||||
| 等级 | 汽车级 | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||||
| 资质 | AEC-Q100 | - | ||||||
| 输入电容 | - | 597pF | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 24 毫欧 @ 6.1A,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 6.1A(Ta) | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 24mΩ@10V,32mΩ@4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 300,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMN25ENEAH | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 车规 SOT457 |
￥1.5807
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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PMN25ENEH | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 N-Channel 24mΩ@10V,32mΩ@4.5V 0.56W 150°C 1.5V,20V 30V 8A |
￥0.81
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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PMN25ENEH | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 N-Channel 24mΩ@10V,32mΩ@4.5V 0.56W 150°C 1.5V,20V 30V 8A |
￥1.212
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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PMN25ENEH | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT457 N-Channel 24mΩ@10V,32mΩ@4.5V 0.56W 150°C 1.5V,20V 30V 8A |
￥1.5142
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0 | 对比 |
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