PMDT670UPE,115 与 EM6J1T2R 区别
| 型号 | PMDT670UPE,115 | EM6J1T2R |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDT670UPE,115 | A3-EM6J1T2R |
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.2Ω@200mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.33W | 150mW |
| Qg-栅极电荷 | - | 1.4nC |
| 输出电容 | 21pF | - |
| 栅极电压Vgs | 8V,-0.8V | ±10V |
| FET类型 | P-Channel | 2P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT666 | SOT-563-6 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | -0.55A | 200mA |
| 系列 | - | EM6J1 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 输入电容 | 58pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 46 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
|
7,945 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
|
5,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
暂无价格 | 57 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
