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PMDT670UPE,115  与  EM6J1T2R  区别

型号 PMDT670UPE,115 EM6J1T2R
唯样编号 A-PMDT670UPE,115 A3-EM6J1T2R
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2Ω@200mA,4.5V
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.33W 150mW
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
输出电容 21pF -
栅极电压Vgs 8V,-0.8V ±10V
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT666 SOT-563-6
工作温度 150℃ -55℃~150℃
连续漏极电流Id -0.55A 200mA
系列 - EM6J1
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
输入电容 58pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 0 46
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
750+ :  ¥1.0994
1,000+ :  ¥0.8589
2,000+ :  ¥0.704
4,000+ :  ¥0.6122
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDT670UPE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT670UPE_SOT666 P-Channel 0.33W 150℃ 8V,-0.8V -20V -0.55A

¥1.0994 

阶梯数 价格
750: ¥1.0994
1,000: ¥0.8589
2,000: ¥0.704
4,000: ¥0.6122
0 当前型号
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

¥3.0185 

阶梯数 价格
50: ¥3.0185
100: ¥2.1753
300: ¥1.6099
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4087
4,000: ¥1.3416
5,000: ¥1.3416
8,000 对比
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

¥3.0185 

阶梯数 价格
50: ¥3.0185
100: ¥2.1753
300: ¥1.6099
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4087
4,000: ¥1.3416
5,000: ¥1.3416
7,600 对比
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A

¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
3,819 对比
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel SOT-563 -65℃~150℃(TJ) 20V 530mA

¥0.6019 

阶梯数 价格
90: ¥0.6019
200: ¥0.3887
1,500: ¥0.338
3,000: ¥0.3003
3,178 对比
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃

暂无价格 46 对比

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