PMDT670UPE,115 与 DMG1023UV-7 区别
| 型号 | PMDT670UPE,115 | DMG1023UV-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDT670UPE,115 | A-DMG1023UV-7 |
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | DMG1023UV Series 20 V 0.75 Ohm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 750mΩ@430mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.33W | 530mW |
| 输出电容 | 21pF | - |
| 栅极电压Vgs | 8V,-0.8V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT666 | SOT-563 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | -0.55A | 1.03A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 输入电容 | 58pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 59.76pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.62nC @ 4.5V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
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7,945 | 对比 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥3.4401
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5,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
暂无价格 | 57 | 对比 | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
750mΩ@430mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 1.03A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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