PMDPB56XNEAX 与 AON2802 区别
| 型号 | PMDPB56XNEAX | AON2802 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDPB56XNEAX | A-AON2802 |
| 制造商 | Nexperia | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 20 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@10V |
| ESD Diode | - | Yes |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 68mΩ |
| Rds On(Max)@2.5V | - | 88mΩ |
| Qgd(nC) | - | 1 Ohms |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 12V |
| Td(on)(ns) | - | 2 |
| 封装/外壳 | SOT1118 | DFN 2x2 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 连续漏极电流Id | 3.1A | 2A |
| Ciss(pF) | - | 245 |
| 输入电容 | 256pF | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 2 |
| Td(off)(ns) | - | 22 Ohms |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.485W | 2.1W |
| Qrr(nC) | - | 3 |
| VGS(th) | - | 1.5 |
| 输出电容 | 31pF | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 72mΩ@3.1A,4.5V | - |
| Coss(pF) | - | 35 |
| Qg*(nC) | - | 2.6 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMDPB56XNEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.485W -55°C~150°C ±12V 30V 3.1A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON2810 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.5W 44mΩ@2A,10V -55°C~150°C |
￥3.3333
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2,398 | 对比 | ||||||||||||||
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AON2802 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.1W 60mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥4.8008
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2,943 | 对比 | ||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥1.6145
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0 | 对比 |
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