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PMDPB30XN,115  与  UT6K3TCR  区别

型号 PMDPB30XN,115 UT6K3TCR
唯样编号 A-PMDPB30XN,115 A33-UT6K3TCR-2
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.49W 2W
输出电容 87pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT1118 HUML2020L8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.3A 5.5A
输入电容 660pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@3A,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 25 2,943
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.8008
50+ :  ¥3.2197
100+ :  ¥2.5777
300+ :  ¥2.1561
500+ :  ¥2.0698
1,000+ :  ¥2.0028
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB30XN,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A

暂无价格 25 当前型号
FDME1024NZT ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A

暂无价格 45,465 对比
DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55°C~150°C(TJ) 20V 3.3A

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8426
1,463 对比
FDME1024NZT ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A

暂无价格 0 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥4.8008 

阶梯数 价格
40: ¥4.8008
50: ¥3.2197
100: ¥2.5777
300: ¥2.1561
500: ¥2.0698
1,000: ¥2.0028
2,943 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥1.6145 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.6145
0 对比

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