PMDPB30XN,115 与 FDME1024NZT 区别
| 型号 | PMDPB30XN,115 | FDME1024NZT |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDPB30XN,115 | A3-FDME1024NZT |
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | FDME1024NZT Series 20 V 3.8 A 66 mOhm Dual N-Ch PowerTrench Mosfet - MicroFET-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 66m Ohms@3.4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | 600mW |
| 输出电容 | 87pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT1118 | MicroFET |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 3.8A |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 输入电容 | 660pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.2nC @ 4.5V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 40mΩ@3A,4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 25 | 45,465 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 45,465 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
|
UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥4.8008
|
2,943 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥1.6145
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
