PMDPB30XN,115 与 UT6K3TCR 区别
| 型号 | PMDPB30XN,115 | UT6K3TCR | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDPB30XN,115 | A-UT6K3TCR | ||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 42mΩ@5A,4.5V | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | 2W | ||
| 输出电容 | 87pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT1118 | HUML2020L8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 5.5A | ||
| 输入电容 | 660pF | - | ||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 40mΩ@3A,4.5V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 450pF @ 15V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 25 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
暂无价格 | 25 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 45,465 | 对比 | ||||||||||||||
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FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥4.8008
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2,943 | 对比 | ||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥1.6145
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0 | 对比 |
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