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PMDPB30XN,115  与  AON2800  区别

型号 PMDPB30XN,115 AON2800
唯样编号 A-PMDPB30XN,115 A-AON2800
制造商 Nexperia AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 47 mΩ @ 4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.49W 1.5W
输出电容 87pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT1118 6-DFN-EP(2x2)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.3A 4.5A
输入电容 660pF -
栅极电荷Qg - 6nC @ 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@3A,4.5V -
库存与单价
库存 35 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥2.01
100+ :  ¥1.4889
1,000+ :  ¥1.1542
1,500+ :  ¥0.9461
3,000+ :  ¥0.8523
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB30XN,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDPB30XN_SOT1118

¥2.01 

阶梯数 价格
10: ¥2.01
100: ¥1.4889
1,000: ¥1.1542
1,500: ¥0.9461
3,000: ¥0.8523
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