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PHP20NQ20T,127  与  IRFB38N20DPBF  区别

型号 PHP20NQ20T,127 IRFB38N20DPBF
唯样编号 A-PHP20NQ20T,127 A33-IRFB38N20DPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 150W 3.8W(Ta),300W(Tc)
输出电容 207pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 38A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
输入电容 2470pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 130mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,824
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥9.9138
50+ :  ¥8.1261
20+ :  ¥11.8822
50+ :  ¥11.4989
100+ :  ¥11.1156
500+ :  ¥11.0198
1,000+ :  ¥10.8282
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHP20NQ20T,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP20NQ20T_SOT78

¥9.9138 

阶梯数 价格
20: ¥9.9138
50: ¥8.1261
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TO-220AB

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IRF640NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.925 

阶梯数 价格
30: ¥1.925
50: ¥1.474
1,000: ¥1.232
3,699 对比
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8822 

阶梯数 价格
20: ¥11.8822
50: ¥11.4989
100: ¥11.1156
500: ¥11.0198
1,000: ¥10.8282
1,824 对比
STP20NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
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TO-220-3

暂无价格 0 对比

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