PHB47NQ10T,118 与 FQB55N10TM 区别
| 型号 | PHB47NQ10T,118 | FQB55N10TM | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PHB47NQ10T,118 | A3t-FQB55N10TM | ||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 166W | 3.75W(Ta),155W(Tc) | ||
| 功率 | - | 3.75W(Ta),155W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| 输出电容 | 315pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±25V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 47A | 55A | ||
| 系列 | - | QFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 输入电容 | 2320pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2730pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 28mΩ@10V | 26 毫欧 @ 27.5A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2730pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 98nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PHB47NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 28mΩ@10V 166W 175°C 3V 100V 47A |
￥10.5863
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0 | 当前型号 | ||||||||
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RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥20.879
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1,000 | 对比 | ||||||||
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RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
暂无价格 | 250 | 对比 | ||||||||
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RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥19.8043
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100 | 对比 | ||||||||
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RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
￥13.1854
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47 | 对比 | ||||||||
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FQB55N10TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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