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PHB33NQ20T,118  与  IRFS38N20DPBF  区别

型号 PHB33NQ20T,118 IRFS38N20DPBF
唯样编号 A-PHB33NQ20T,118 A-IRFS38N20DPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 230W 3.8W(Ta),300W(Tc)
输出电容 230pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32.7A 38A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
输入电容 1870pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 77mΩ@15A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB33NQ20T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB33NQ20T_SOT404 N-Channel 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A

暂无价格 30 当前型号
IRFS38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比
FDB52N20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRFR3411PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 32A D-Pak

暂无价格 0 对比
FDB52N20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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IRF640NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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