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PHB32N06LT,118  与  IRLZ34NS  区别

型号 PHB32N06LT,118 IRLZ34NS
唯样编号 A-PHB32N06LT,118 A-IRLZ34NS
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 97W 3.8W(Ta),68W(Tc)
输出电容 160pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 34A 30A(Tc)
输入电容 920pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@5V,37mΩ@10V,43mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥4.4296
400+ :  ¥3.7539
800+ :  ¥3.4439
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB32N06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB32N06LT_SOT404

¥4.4296 

阶梯数 价格
210: ¥4.4296
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