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PHB27NQ10T,118  与  IRF3710STRRPBF  区别

型号 PHB27NQ10T,118 IRF3710STRRPBF
唯样编号 A-PHB27NQ10T,118 A-IRF3710STRRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 107W 200W(Tc)
输出电容 172pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 28A 57A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 1240pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 50mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥6.4896
400+ :  ¥5.3193
800+ :  ¥4.6255
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB27NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB27NQ10T_SOT404 N-Channel 107W 175℃ 3V 100V 28A

¥6.4896 

阶梯数 价格
200: ¥6.4896
400: ¥5.3193
800: ¥4.6255
0 当前型号
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRF3710STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 对比
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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