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PHB191NQ06LT,118  与  IRFS7537TRLPBF  区别

型号 PHB191NQ06LT,118 IRFS7537TRLPBF
唯样编号 A-PHB191NQ06LT,118 A36-IRFS7537TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W 230W(Tc)
输出电容 1045pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D²PAK(TO-263AB)
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 173A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
输入电容 7665pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,398
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥11.3869
400+ :  ¥9.6499
800+ :  ¥8.8531
20+ :  ¥4.752
100+ :  ¥3.806
800+ :  ¥3.52
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB191NQ06LT_SOT404

¥11.3869 

阶梯数 价格
210: ¥11.3869
400: ¥9.6499
800: ¥8.8531
0 当前型号
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
100: ¥3.806
800: ¥3.52
1,398 对比
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