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PHB191NQ06LT,118  与  IRF3805SPBF  区别

型号 PHB191NQ06LT,118 IRF3805SPBF
唯样编号 A-PHB191NQ06LT,118 A-IRF3805SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Single N-Channel 55 V 300 W 190 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 300W 300W(Tc)
输出电容 1045pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 210A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 7665pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7960pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.3869
400+ :  ¥9.6499
800+ :  ¥8.8531
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
210: ¥11.3869
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20: ¥4.752
100: ¥3.806
800: ¥3.52
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