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PHB191NQ06LT,118  与  AUIRFS3206  区别

型号 PHB191NQ06LT,118 AUIRFS3206
唯样编号 A-PHB191NQ06LT,118 A-AUIRFS3206
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3206, 120 A,210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 1.5V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 120A,210A
输入电容 7665pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 300W 300W
晶体管配置 -
输出电容 1045pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V -
典型接通延迟时间 - 19 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.3869
400+ :  ¥9.6499
800+ :  ¥8.8531
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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