| 型号 | PEMD9,115 | EMD9T2R | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PEMD9,115 | A32-EMD9T2R-1 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 | EMD9 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| R2 | - | 47K/47K Ohms | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz,250MHz | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV,-300mV | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | SOT-563 | ||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA,-100mA | ||||||||||
| VEBO | 6V | - | ||||||||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V,-50V | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | 68,68 | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||
| R1 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 15,900 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PEMD9,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8066
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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EMD9T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.4251
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15,900 | 对比 | ||||||||||||
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EMD9T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5278
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7,585 | 对比 | ||||||||||||
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EMD9T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1212
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4,850 | 对比 | ||||||||||||
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DDC144EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 2NPN |
￥0.4205
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2,897 | 对比 | ||||||||||||
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DDC114TH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 2NPN |
￥0.425
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2,431 | 对比 |
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