PEMD13,115 与 EMD22T2R 区别
| 型号 | PEMD13,115 | EMD22T2R | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PEMD13,115 | A-EMD22T2R | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666 | EMD22 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| R2 | - | 47K/47K Ohms | ||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz,250MHz | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV,-300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | SOT-563 | ||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA,-100mA | ||||||||
| VEBO | 5V | - | ||||||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V,-50V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | 80,80 | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||
| R1 | - | 4.7K/4.7K Ohms | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 45 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PEMD13,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8066
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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EMD22T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.4251
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16,000 | 对比 | ||||||||||||||
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EMD22T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1978
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5,070 | 对比 | ||||||||||||||
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EMD22T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1978
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352 | 对比 | ||||||||||||||
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EMD22T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||
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EMD22T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.0687
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45 | 对比 |
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