PEMD12,315 与 EMH2T2R 区别
| 型号 | PEMD12,315 | EMH2T2R | ||||||
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| 唯样编号 | A-PEMD12,315 | A36-EMH2T2R | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666 | EMH2 Series 50 V 100 mA 150 mW Dual NPN Complex Digital Transistor - EMT-6 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | - | 47K Ohms | ||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | 300mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | SOT-563 | ||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 80 | 68 | ||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN | ||||||
| R1 | - | 47K Ohms | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,364 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PEMD12,315 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8066
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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EMH52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.4251
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16,000 | 对比 | ||||||||||||
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EMH2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.4251
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15,990 | 对比 | ||||||||||||
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DCX144EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.663
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5,224 | 对比 | ||||||||||||
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EMH52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.4114
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4,950 | 对比 | ||||||||||||
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EMH2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.6855
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1,364 | 对比 |
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