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PDTC114YU,115  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 PDTC114YU,115 MMUN2214LT1G
唯样编号 A-PDTC114YU,115 A36-MMUN2214LT1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 230MHz -
产品特性 - 带阻/预偏置
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 100mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-323 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
VCBO 50V -
工作温度 -65°C~150°C -
集电极电流Ic 100mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
VEBO 6V -
尺寸 2*1.25*0.95 -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 100 -
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 164 35,081
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
5+ :  ¥0.376
100+ :  ¥0.2785
1,000+ :  ¥0.2063
1,500+ :  ¥0.1691
3,000+ :  ¥0.147
80+ :  ¥0.6756
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PDTC114YU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA NPN

¥0.376 

阶梯数 价格
5: ¥0.376
100: ¥0.2785
1,000: ¥0.2063
1,500: ¥0.1691
3,000: ¥0.147
164 当前型号
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.6756 

阶梯数 价格
80: ¥0.6756
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
35,081 对比
DTC114YUBTL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323FL 200mW 50V 70mA NPN

¥0.5289 

阶梯数 价格
290: ¥0.5289
1,000: ¥0.4231
4,000: ¥0.3526
5,000: ¥0.3409
6,000 对比
DTC114YU3HZGT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA 车规 NPN

¥0.7839 

阶梯数 价格
100: ¥0.7839
500: ¥0.7126
1,000: ¥0.6415
3,000: ¥0.5701
3,000 对比
DTC114YUBTL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323FL 200mW 50V 70mA NPN

¥0.5289 

阶梯数 价格
290: ¥0.5289
1,000: ¥0.4231
3,000 对比
DTC114YUBTL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323FL 200mW 50V 70mA NPN

¥0.5289 

阶梯数 价格
290: ¥0.5289
1,000: ¥0.4231
2,745 对比

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