PDTB123TT,215 与 DTA115GKAT146 区别
| 型号 | PDTB123TT,215 | DTA115GKAT146 | ||||
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| 唯样编号 | A-PDTB123TT,215 | A33-DTA115GKAT146 | ||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | DTA115GKA Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-59 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 250mW | - | ||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||
| 功率 | - | 1/5W | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 100k | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | - | ||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 250µA,5mA | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SMT | ||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 82 @ 5mA,5V | ||||
| VCBO | -50V | - | ||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||
| 集电极电流Ic | -500mA | - | ||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||
| VEBO | -5V | - | ||||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PDTB123TT,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -500mA 车规 PNP |
￥0.2867
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA PNP |
￥1.4251
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTA114TKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -100mA PNP |
￥0.9265
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTA143TKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -100mA PNP |
￥0.9265
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTB123TKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -40V -500mA PNP |
￥1.2826
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3,000 | 对比 |
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